Ruggedness_LDMOS_transistor_VSWR

Даташіт LDMOS транзистора що ставляться в модулі РЕБ

Приклад з даташіт одного з транзисторів LDMOS, що ставляться в модулі завад. Як бачимо даний польовий транзистор здатен витримати КСХ 10 при максимальній вихідній потужності 135 Вт!

Приклад з даташіт одного з транзисторів LDMOS, що ставляться в модулі завад. Як бачимо даний польовий транзистор здатен витримати КСХ 10 при максимальній вихідній потужності 135 Вт!

Залишити відповідь

Ваша e-mail адреса не оприлюднюватиметься. Обов’язкові поля позначені *